| 工場モデル : | SCT3080KRC15 |
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| RoHS ステータス : | |
| メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
| 在庫状況 : | 450 pcs Stock |
| 説明 : | 1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | SCT3080KRC15 |
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| メーカー | LAPIS Technology |
| 説明 | 1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST |
| フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 450 pcs |
| 仕様書 | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.6V @ 5mA |
| Vgs（最大） | +22V, -4V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4L |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 104mOhm @ 10A, 18V |
| 電力消費（最大） | 165W |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 785 pF @ 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 31A (Tj) |
| 基本製品番号 | SCT3080 |
SCT3080KLGC11SICFET N-CH 1200V 31A TO247NSCT3080AW7TLSICFET N-CH 650V 29A TO263-7
SCT30N120D2SICFET N-CH 1200V 40A HIP247SCT3080KLHRC11SICFET N-CH 1200V 31A TO247NSCT3080KRHRC151200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
SCT30N120SICFET N-CH 1200V 40A HIP247SCT3080KRC14SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4LSCT3080KW7TLSICFET N-CH 1200V 30A TO263-7SCT30N120HSICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2SCT3080ARHRC15650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR