| 工場モデル : | SCT2H12NZGC11 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
| 在庫状況 : | 623 pcs Stock |
| 説明 : | SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | SCT2H12NZGC11(1).pdfSCT2H12NZGC11(2).pdfSCT2H12NZGC11(3).pdfSCT2H12NZGC11(4).pdfSCT2H12NZGC11(5).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | SCT2H12NZGC11 |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology |
| 説明 | SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 623 pcs |
| 仕様書 | SCT2H12NZGC11(1).pdfSCT2H12NZGC11(2).pdfSCT2H12NZGC11(3).pdfSCT2H12NZGC11(4).pdfSCT2H12NZGC11(5).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 900µA |
| Vgs（最大） | +22V, -6V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PFM |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V |
| 電力消費（最大） | 35W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-3PFM, SC-93-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 184 pF @ 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1700 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.7A (Tc) |
| 基本製品番号 | SCT2H12 |
SCT29XV-270-2R3A006JHCMC 120UH 27A 2LN TH AEC-Q200
SCT300-300CONN T-SPLICE TAP 300 MCM CRIMP
SCT3022ALHRC11SICFET N-CH 650V 93A TO247NSCT3022ALGC11SICFET N-CH 650V 93A TO247NSCT3017ALHRC11SICFET N-CH 650V 118A TO247N
SCT29XV-270-2R3A006JVCMC 120UH 27A 2LN TH AEC-Q200SCT29XV-300-2R4A005JHCMC 83UH 30A 2LN TH AEC-Q200SCT29XV-300-2R4A005JVCMC 83UH 30A 2LN TH AEC-Q200SCT2H12NYTBSICFET N-CH 1700V 4A TO268SCT3017ALGC11650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR