工場モデル : | SCT2280KEGC11 |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
在庫状況 : | 2240 pcs Stock |
説明 : | 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | SCT2280KEGC11 |
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メーカー | LAPIS Technology |
説明 | 1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 2240 pcs |
仕様書 | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 1.4mA |
Vgs(最大) | +22V, -6V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247N |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 364mOhm @ 4A, 18V |
電力消費(最大) | 108W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 667 pF @ 800 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 36 nC @ 18 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 18V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 14A (Tc) |
基本製品番号 | SCT2280 |