| 工場モデル : | RS1E280BNTB |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
| 在庫状況 : | 70296 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | RS1E280BNTB(1).pdfRS1E280BNTB(2).pdfRS1E280BNTB(3).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | RS1E280BNTB |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 70296 pcs |
| 仕様書 | RS1E280BNTB(1).pdfRS1E280BNTB(2).pdfRS1E280BNTB(3).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSOP |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.3mOhm @ 28A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3W (Ta), 30W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5100 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 94 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A (Ta) |
| 基本製品番号 | RS1E |
RS1E260ATTB1MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOPRS1E240BNTBMOSFET N-CH 30V 24A 8HSOPRS1E281BNTB1MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOPRS1E200GNTBMOSFET N-CH 30V 20A 8HSOPRS1E240GNTBMOSFET N-CH 30V 24A 8HSOPRS1E320GNTBMOSFET N-CH 30V 32A 8HSOPRS1E301GNTB1MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOPRS1E300GNTBMOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOPRS1E280GNTBMOSFET N-CH 30V 28A 8HSOPRS1E220ATTB1MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP