| 工場モデル : | RQ7E110AJTCR |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
| 在庫状況 : | 1469 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | RQ7E110AJTCR(1).pdfRQ7E110AJTCR(2).pdfRQ7E110AJTCR(3).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | RQ7E110AJTCR |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 1469 pcs |
| 仕様書 | RQ7E110AJTCR(1).pdfRQ7E110AJTCR(2).pdfRQ7E110AJTCR(3).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 10mA |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT8 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9mOhm @ 4.5A, 11V |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2410 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 22 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) |
| 基本製品番号 | RQ7E110 |
RQ7G080ATTCRPCH -40V -8A SMALL SIGNAL POWER
RQ73C2B9K76BTDRES 9.76 KOHMS 0.1% 0.4W 1206RQ7G080BGTCRNCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFETRQ73C2B9K09BTDRES 9.09 KOHMS 0.1% 0.4W 1206RQ7L055BGTCRNCH 60V 5.5A, TSMT8, POWER MOSFERQ73C2B9K31BTDRES 9.31 KOHMS 0.1% 0.4W 1206RQ73C2B9K53BTDRES 9.53 KOHMS 0.1% 0.4W 1206RQ7E055ATTCRMOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8RQ7E100ATTCRMOSFET P-CH 30V 10A TSMT8RQ7L050ATTCRPCH -60V -5A SMALL SIGNAL POWER