| 工場モデル : | RQ3E110AJTB |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
| 在庫状況 : | 15045 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | RQ3E110AJTB |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 15045 pcs |
| 仕様書 | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSMT (3.2x3) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11.7mOhm @ 11A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1500 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13.5 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta), 24A (Tc) |
| 基本製品番号 | RQ3E110 |
RQ3E100GNTBMOSFET N-CH 30V 10A 8HSMTRQ3E120GNTBMOSFET N-CH 30V 12A 8HSMTRQ3E130MNTB1MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8RQ3E120ATTBMOSFET P-CH 30V 12A 8HSMTRQ3E100MNTB1MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8RQ3E100BNTBMOSFET N-CH 30V 10A 8HSMTRQ3E130BNTBMOSFET N-CH 30V 13A 8HSMTRQ3E120BNTBMOSFET N-CH 30V 12A 8HSMTRQ3E100ATTBMOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMTRQ3E100BNTB1NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10