| 工場モデル : | RQ3E075ATTB |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
| 在庫状況 : | 5350 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | RQ3E075ATTB(1).pdfRQ3E075ATTB(2).pdfRQ3E075ATTB(3).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | RQ3E075ATTB |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology |
| 説明 | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 5350 pcs |
| 仕様書 | RQ3E075ATTB(1).pdfRQ3E075ATTB(2).pdfRQ3E075ATTB(3).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSMT (3.2x3) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 23mOhm @ 7.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 15W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 930 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10.4 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Tc) |
| 基本製品番号 | RQ3E075 |
RQ3E100BNTBMOSFET N-CH 30V 10A 8HSMTRQ3E100ATTBMOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMTRQ3E100GNTBMOSFET N-CH 30V 10A 8HSMTRQ3E080BNTBMOSFET N-CH 30V 8A 8HSMTRQ3E070BNTB1NCH 30V 15A POWER MOSFET: RQ3E07RQ3E070BNTBMOSFET N-CH 30V 7A 8HSMTRQ3E100BNTB1NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10RQ3C150BCTBMOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMTRQ3E100MNTB1MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8RQ3E080GNTBMOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT