工場モデル : | RH6P040BHTB1 |
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RoHS ステータス : | |
メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
在庫状況 : | 5885 pcs Stock |
説明 : | NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | RH6P040BHTB1 |
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メーカー | LAPIS Technology |
説明 | NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE |
フリーステータス/ RoHS状態 | |
在庫あり | 5885 pcs |
仕様書 | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSMT (3.2x3) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 15.6mOhm @ 40A, 10V |
電力消費(最大) | 59W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1080 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 16.7 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 40A (Tc) |