工場モデル : | RGT8NS65DGC9 |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
在庫状況 : | 965 pcs Stock |
説明 : | IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262 |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | RGT8NS65DGC9 |
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メーカー | LAPIS Technology |
説明 | IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262 |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 965 pcs |
仕様書 | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 650 V |
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) | 2.1V @ 15V, 4A |
試験条件 | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
Td(オン/オフ)@ 25℃ | 17ns/69ns |
エネルギーの切り替え | - |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 40 ns |
電力 - 最大 | 65 W |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力タイプ | Standard |
IGBTタイプ | Trench Field Stop |
ゲートチャージ | 13.5 nC |
電流 - コレクタパルス(ICM) | 12 A |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 8 A |
基本製品番号 | RGT8NS65 |