工場モデル : | R8002ANX |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | R8002ANX(1).pdfR8002ANX(2).pdfR8002ANX(3).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | R8002ANX |
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メーカー | LAPIS Technology |
説明 | MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | R8002ANX(1).pdfR8002ANX(2).pdfR8002ANX(3).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FM |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.3Ohm @ 1A, 10V |
電力消費(最大) | 35W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 210 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12.7 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 800 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2A (Tc) |
基本製品番号 | R8002 |