| 工場モデル : | R6530KNX3C16 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
| 在庫状況 : | 1000 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | R6530KNX3C16 |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology |
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 1000 pcs |
| 仕様書 | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 960µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 140mOhm @ 14.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 307W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2350 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) |
| 基本製品番号 | R6530 |
R6530KNXC7G650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
R6530ENZC8MOSFET N-CH 650V 30A TO3R6530ENXC7G650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POWR6530ENZ4C13650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWERR6530KNZ4C13650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWITR6530KNZC17MOSFET N-CH 650V 30A TO3R6530KNZC8MOSFET N-CH 650V 30A TO3R6535ENZ4C13650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWERR6530ENZC17MOSFET N-CH 650V 30A TO3R6524KNZC8MOSFET N-CH 650V 24A TO3