| 工場モデル : | QS8M31TR |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
| 在庫状況 : | 3000 pcs Stock |
| 説明 : | QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+ |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | QS8M31TR |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology |
| 説明 | QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+ |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 3000 pcs |
| 仕様書 | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT8 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V |
| 電力 - 最大 | 1.1W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 270pF @ 10V, 750pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Ta), 2A (Ta) |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel |
| 基本製品番号 | QS8M31 |
QS8M12TCRMOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8QS8M51TRMOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8QS8K11TCR4V DRIVE NCH+NCH MOSFETQS8K13TCRMOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8QS8M11TCRMOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8QS8K2TRMOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8QS8K51TRMOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8QS8J5TRMOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8QS8K21TRMOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8QS8M13TCRMOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8