| 工場モデル : | HP8K22TB |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
| 在庫状況 : | 4852 pcs Stock |
| 説明 : | 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | HP8K22TB(1).pdfHP8K22TB(2).pdfHP8K22TB(3).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | HP8K22TB |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology |
| 説明 | 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 4852 pcs |
| 仕様書 | HP8K22TB(1).pdfHP8K22TB(2).pdfHP8K22TB(3).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 技術 | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HSOP |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.6mOhm @ 20A, 10V |
| 電力 - 最大 | 25W |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1080pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16.8nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 27A, 57A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 基本製品番号 | HP8K22 |
HP8K24TBHP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T
EFC6618R-A-TFMOSFET 2N-CH EFCPHP8M51TB1HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE AHP8S36TB30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,HP8M31TB1HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
DMN2005DLP4K-7MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
CSD87503Q3ET30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMMHP8MA2TB1HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE ANDMCH3307-TL-E-SYP-CHANNEL SILICON MOSFETHP8KA1TBMOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8