| 工場モデル : | EM6J1T2R |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
| 在庫状況 : | 16766 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | EM6J1T2R(1).pdfEM6J1T2R(2).pdfEM6J1T2R(3).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | EM6J1T2R |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology |
| 説明 | MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 16766 pcs |
| 仕様書 | EM6J1T2R(1).pdfEM6J1T2R(2).pdfEM6J1T2R(3).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 100µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | EMT6 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 150mW |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 115pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | EM6J1 |
EM6K31T2RMOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6EM6K33T2RMOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
EM6HE16EWXD-10IHIC DRAM 4GBIT PAR 96FBGAEM6K1T2RMOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
EM6HF16EBXB-12SH8GB (512MX16) DDR3. 96-BALL WINDEM6HE16EWXD-10HIC DRAM 4GBIT PAR 96FBGAEM6K31GT2RMOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
EM6J1T2CRMOSFET 2P-CH 20V EMT6
EM6HE16EWAKG-10IHIC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGAEM6K34T2CRMOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6