| 工場モデル : | BSM180D12P3C007 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
| 在庫状況 : | 3 pcs Stock |
| 説明 : | SIC POWER MODULE |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | BSM180D12P3C007(1).pdfBSM180D12P3C007(2).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | BSM180D12P3C007 |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology |
| 説明 | SIC POWER MODULE |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 3 pcs |
| 仕様書 | BSM180D12P3C007(1).pdfBSM180D12P3C007(2).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.6V @ 50mA |
| 技術 | Silicon Carbide (SiC) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - |
| 電力 - 最大 | 880W |
| パッケージ/ケース | Module |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 900pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 180A (Tc) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | BSM180 |
BSM15GP60BOSA1IGBT MODULE 600V 25A 100W
BSM180D12P2E0021200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
BSM2-XCONN SPLICE 14-16 AWG CRIMPBSM180D12P2C101MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM200GA120DLCSHOSA1IGBT MOD 1200V 370A 1450WBSM180C12P2E202SICFET N-CH 1200V 204A MODULEBSM180C12P3C202SICFET N-CH 1200V 180A MODULEBSM2-CCONN SPLICE 14-16 AWG CRIMPBSM200GA120DLCHOSA1IGBT MOD 1200V 370A 1450WBSM200GA120DN2FSIGBT MODULE