工場モデル : | BSM120D12P2C005 |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
在庫状況 : | 23 pcs Stock |
説明 : | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | BSM120D12P2C005 |
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メーカー | LAPIS Technology |
説明 | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 23 pcs |
仕様書 | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.7V @ 22mA |
技術 | Silicon Carbide (SiC) |
サプライヤデバイスパッケージ | Module |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - |
電力 - 最大 | 780W |
パッケージ/ケース | Module |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 14000pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | - |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200V (1.2kV) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 120A (Tc) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
基本製品番号 | BSM120 |