| 工場モデル : | BS2103F-E2 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | BS2103F-E2(1).pdfBS2103F-E2(2).pdfBS2103F-E2(3).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | BS2103F-E2 |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology |
| 説明 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | BS2103F-E2(1).pdfBS2103F-E2(2).pdfBS2103F-E2(3).pdf |
| 電源電圧 - | 10V ~ 18V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP |
| シリーズ | - |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 200ns, 100ns |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.173', 4.40mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力周波数 | 2 |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1V, 2.6V |
| 入力タイプ | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 600 V |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 駆動構成 | Half-Bridge |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 60mA, 130mA |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent |
| 基本製品番号 | BS2103 |
BS20P-SHF-1AA(LF)(SN)CONN HEADER R/A 20POS 2.5MM
BS2114F-E2600V HIGH VOLTAGE HIGH & LOW-SID
BS211DC12BS SERIES, SPDT, 2A, DC12V SENSI
BS2-B0-24-616-Q22-ECIRCUIT BREAKER
BS2100F-E2IC DVR IGBT/MOSFETBS2101F-E2IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP
BS2180LED Z-POWER BLUE 460NM SMD
BS2130F-GE2IC HALF BRIDGE DRVR 350MA 28SOP
BS2132F-E2600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
BS2-ICIC MOD PIC16C57C 20MHZ 32B 2KB