| 工場モデル : | G350P02LLE |
|---|---|
| RoHS ステータス : | RoHS準拠 |
| メーカー/ブランド : | Goford Semiconductor |
| 在庫状況 : | 3000 pcs Stock |
| 説明 : | P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | G350P02LLE.pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | G350P02LLE |
|---|---|
| メーカー | Goford Semiconductor |
| 説明 | P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V |
| フリーステータス/ RoHS状態 | RoHS準拠 |
| 在庫あり | 3000 pcs |
| 仕様書 | G350P02LLE.pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-6L |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 4A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1.4W (Tc) |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1126 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17.2 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A (Tc) |
