| 工場モデル : | MSRT20060(A) |
|---|---|
| RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| メーカー/ブランド : | GeneSiC Semiconductor |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | MSRT20060(A)(1).pdfMSRT20060(A)(2).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | MSRT20060(A) |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 説明 | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | MSRT20060(A)(1).pdfMSRT20060(A)(2).pdf |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.2V @ 200A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600V |
| サプライヤデバイスパッケージ | Three Tower |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| パッケージング | Bulk |
| パッケージ/ケース | Three Tower |
| 他の名前 | MSRT20060(A)GN MSRT20060A |
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 10 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| ダイオードタイプ | Standard |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode |
| 詳細な説明 | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10µA @ 600V |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 200A (DC) |
MSRT200160(A)DDIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
MSRT200160D1600V 200A THREE TOWER SILICON RMSRT200160ADIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWERMSRT20080(A)DIODE MODULE 800V 200A 3TOWERMSRT20060ADIODE MODULE 600V 200A 3TOWERMSRT20060ADDIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWERMSRT20060D600V 200A THREE TOWER SILICON REMSRT20060(A)DDIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWERMSRT200160ADDIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWERMSRT200160(A)DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER