| 工場モデル : | MSRT200120A |
|---|---|
| RoHS ステータス : | RoHS準拠 |
| メーカー/ブランド : | GeneSiC Semiconductor |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | MSRT200120A |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 説明 | DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER |
| フリーステータス/ RoHS状態 | RoHS準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.2 V @ 200 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V |
| 技術 | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | Three Tower |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| パッケージ/ケース | Three Tower |
| パッケージ | Bulk |
| 動作温度 - ジャンクション | -40°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 600 V |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 200A (DC) |
| 基本製品番号 | MSRT200 |
MSRT200120D1200V 200A THREE TOWER SILICON R
MSRT200140(A)DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWERMSRT200120(A)DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWERMSRT200120ADDIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWERMSRT200100ADIODE MODULE 1KV 200A 3TOWERMSRT200100D1000V 200A THREE TOWER SILICON RMSRT200140ADIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWERMSRT200120(A)DDIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWERMSRT200100ADDIODE GEN 1KV 200A 3 TOWERMSRT200140(A)DDIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER