工場モデル : | GC10MPS12-252 |
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RoHS ステータス : | RoHS準拠 |
メーカー/ブランド : | GeneSiC Semiconductor |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO252-2 |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | GC10MPS12-252.pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | GC10MPS12-252 |
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メーカー | GeneSiC Semiconductor |
説明 | DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO252-2 |
フリーステータス/ RoHS状態 | RoHS準拠 |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | GC10MPS12-252.pdf |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.8 V @ 10 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 1200 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252-2 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | SiC Schottky MPS™ |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Surface Mount |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 1200 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 50A |
Vrと、F @キャパシタンス | 660pF @ 1V, 1MHz |
基本製品番号 | GC10MPS12 |