| 工場モデル : | GAP3SLT33-220FP |
|---|---|
| RoHS ステータス : | RoHS準拠 |
| メーカー/ブランド : | GeneSiC Semiconductor |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | DIODE SIC 3.3KV 300MA TO220FP |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | GAP3SLT33-220FP.pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | GAP3SLT33-220FP |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 説明 | DIODE SIC 3.3KV 300MA TO220FP |
| フリーステータス/ RoHS状態 | RoHS準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | GAP3SLT33-220FP.pdf |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 300 mA |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 3300 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FP |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | SiC Schottky MPS™ |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 Full Pack |
| パッケージ | Tube |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 3300 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 300mA |
| Vrと、F @キャパシタンス | 42pF @ 1V, 1MHz |
| 基本製品番号 | GAP3SLT33 |
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