工場モデル : | EPC7018GC |
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RoHS ステータス : | |
メーカー/ブランド : | EPC Space, LLC |
在庫状況 : | 146 pcs Stock |
説明 : | GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | EPC7018GC(1).pdfEPC7018GC(2).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | EPC7018GC |
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メーカー | |
説明 | GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB |
フリーステータス/ RoHS状態 | |
在庫あり | 146 pcs |
仕様書 | EPC7018GC(1).pdfEPC7018GC(2).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 12mA |
Vgs(最大) | +6V, -4V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ | 5-SMD |
シリーズ | eGaN® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 6mOhm @ 40A, 5V |
電力消費(最大) | - |
パッケージ/ケース | 5-SMD, No Lead |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1240 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 11.7 nC @ 5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80A (Tc) |