| 工場モデル : | EPC2012C |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | EPC |
| 在庫状況 : | 19404 pcs Stock |
| 説明 : | GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | EPC2012C(1).pdfEPC2012C(2).pdfEPC2012C(3).pdfEPC2012C(4).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | EPC2012C |
|---|---|
| メーカー | EPC |
| 説明 | GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 19404 pcs |
| 仕様書 | EPC2012C(1).pdfEPC2012C(2).pdfEPC2012C(3).pdfEPC2012C(4).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | +6V, -4V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| シリーズ | eGaN® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 3A, 5V |
| 電力消費（最大） | - |
| パッケージ/ケース | Die |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 140 pF @ 100 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.3 nC @ 5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A (Ta) |
| 基本製品番号 | EPC20 |
EPC2012CENGRTRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
EPC2007CGANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINEEPC2014GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINEEPC2012GANFET N-CH 200V 3A DIEEPC2010GANFET N-CH 200V 12A DIE
EPC2010CENGRTRANS GAN 200V 22A BUMPED DIEEPC2015CGANFET N-CH 40V 53A DIEEPC2015GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINEEPC2010CGANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINEEPC2014CGANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE