工場モデル : | SDT10S60 |
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RoHS ステータス : | |
メーカー/ブランド : | Infineon Technologies |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2 |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | SDT10S60(1).pdfSDT10S60(2).pdfSDT10S60(3).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | SDT10S60 |
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メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
説明 | DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2 |
フリーステータス/ RoHS状態 | |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | SDT10S60(1).pdfSDT10S60(2).pdfSDT10S60(3).pdf |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.7 V @ 10 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 600 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-2-2 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | CoolSiC™+ |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
パッケージ/ケース | TO-220-2 |
パッケージ | Tube |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 350 µA @ 600 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 10A |
Vrと、F @キャパシタンス | 350pF @ 0V, 1MHz |
基本製品番号 | SDT10S |