工場モデル : | IRLHS6342TR2PBF |
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RoHS ステータス : | |
メーカー/ブランド : | Infineon Technologies |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | IRLHS6342TR2PBF(1).pdfIRLHS6342TR2PBF(2).pdfIRLHS6342TR2PBF(3).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | IRLHS6342TR2PBF |
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メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
説明 | MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN |
フリーステータス/ RoHS状態 | |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | IRLHS6342TR2PBF(1).pdfIRLHS6342TR2PBF(2).pdfIRLHS6342TR2PBF(3).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.1V @ 10µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-PQFN (2x2) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V |
パッケージ/ケース | 6-PowerVDFN |
パッケージ | Cut Tape (CT) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1019 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8.7A (Ta), 19A (Tc) |