工場モデル : | IRL3705NLPBF |
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RoHS ステータス : | |
メーカー/ブランド : | Infineon Technologies |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | MOSFET N-CH 55V 89A TO262 |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | IRL3705NLPBF.pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | IRL3705NLPBF |
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メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
説明 | MOSFET N-CH 55V 89A TO262 |
フリーステータス/ RoHS状態 | |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | IRL3705NLPBF.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 10mOhm @ 46A, 10V |
電力消費(最大) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3600 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 98 nC @ 5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 55 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 89A (Tc) |