| 工場モデル : | IRF9Z24NPBF |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Infineon Technologies |
| 在庫状況 : | 8991 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | IRF9Z24NPBF(1).pdfIRF9Z24NPBF(2).pdfIRF9Z24NPBF(3).pdfIRF9Z24NPBF(4).pdfIRF9Z24NPBF(5).pdfIRF9Z24NPBF(6).pdfIRF9Z24NPBF(7).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | IRF9Z24NPBF |
|---|---|
| メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| 説明 | MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 8991 pcs |
| 仕様書 | IRF9Z24NPBF(1).pdfIRF9Z24NPBF(2).pdfIRF9Z24NPBF(3).pdfIRF9Z24NPBF(4).pdfIRF9Z24NPBF(5).pdfIRF9Z24NPBF(6).pdfIRF9Z24NPBF(7).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 175mOhm @ 7.2A, 10V |
| 電力消費（最大） | 45W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 350 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) |
| 基本製品番号 | IRF9Z24 |
IRF9Z20PBFMOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB
IRF9Z24NLPBFMOSFET P-CH 55V 12A TO262IRF9Z24MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
IRF9Z24NSPBFMOSFET P-CH 55V 12A D2PAKIRF9Z20MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220ABIRF9Z24NSTRLMOSFET P-CH 55V 12A D2PAKIRF9Z24NSTRLPBFMOSFET P-CH 55V 12A D2PAKIRF9Z24NSTRRMOSFET P-CH 55V 12A D2PAKIRF9Z24NSMOSFET P-CH 55V 12A D2PAKIRF9Z24NLMOSFET P-CH 55V 12A TO262