| 工場モデル : | IPTG014N10NM5ATMA1 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Infineon Technologies |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | IPTG014N10NM5ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.8V @ 280µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-HSOG-8-1 |
| シリーズ | OptiMOS™ 5 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.4mOhm @ 150A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 375W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerSMD, Gull Wing |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 16000 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 211 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 37A (Ta), 366A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPTG014N |
IPTC044N15NM5ATMA1OPTIMOS 5 POWER MOSFETIPTG025N10NM5ATMA1TRENCH >=100V PG-HSOG-8IPTG025N08NM5ATMA1TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8IPTG007N06NM5ATMA1MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8IPTC054N15NM5ATMA1OPTIMOS 5 POWER MOSFETIPTG011N08NM5ATMA1MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8IPTC063N15NM5ATMA1OPTIMOS 5 POWER MOSFETIPTG039N15NM5ATMA1TRENCH >=100VIPTG018N10NM5ATMA1TRENCH >=100V PG-HSOG-8IPTG018N08NM5ATMA1TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8