| 工場モデル : | IPT111N20NFDATMA1 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Infineon Technologies |
| 在庫状況 : | 2290 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | IPT111N20NFDATMA1(1).pdfIPT111N20NFDATMA1(2).pdfIPT111N20NFDATMA1(3).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | IPT111N20NFDATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| 説明 | MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 2290 pcs |
| 仕様書 | IPT111N20NFDATMA1(1).pdfIPT111N20NFDATMA1(2).pdfIPT111N20NFDATMA1(3).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 267µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-HSOF-8-1 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11.1mOhm @ 96A, 10V |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerSFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7000 pF @ 100 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 96A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPT111 |
IPT1-150-01-S-DCONN HEADER VERT 100POS 2.54MM
IPT1-FPRFID TAG R/W 125KHZ ENCAP
IPT60R028G7XTMA1MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
IPT1-150-01-S-D-RACONN HEADER R/A 100POS 2.54MMIPT210N25NFDATMA1MV POWER MOSIPT60R040S7XTMA1MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOFIPT60R022S7XTMA1MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOFIPT60R035CFD7XTMA1MOSFET N-CH 600V 67A 8HSOF
IPT1-150-01-S-D-VSCONN HEADER SMD 100POS 2.54MMIPT1-150-01-L-D-RACONN HEADER R/A 100POS 2.54MM