工場モデル : | IPB65R190CFDATMA1 |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | Infineon Technologies |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | IPB65R190CFDATMA1(1).pdfIPB65R190CFDATMA1(2).pdfIPB65R190CFDATMA1(3).pdfIPB65R190CFDATMA1(4).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | IPB65R190CFDATMA1 |
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メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
説明 | MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | IPB65R190CFDATMA1(1).pdfIPB65R190CFDATMA1(2).pdfIPB65R190CFDATMA1(3).pdfIPB65R190CFDATMA1(4).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 730µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 |
シリーズ | CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
電力消費(最大) | 151W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1850 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 68 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 17.5A (Tc) |
基本製品番号 | IPB65R190 |