| 工場モデル : | IPB65R065C7ATMA2 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Infineon Technologies |
| 在庫状況 : | 5503 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | IPB65R065C7ATMA2.pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | IPB65R065C7ATMA2 |
|---|---|
| メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 5503 pcs |
| 仕様書 | IPB65R065C7ATMA2.pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 200µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 |
| シリーズ | CoolMOS™ C7 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 65mOhm @ 17.1A, 10V |
| 電力消費（最大） | 171W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3020 pF @ 400 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPB65R065 |
IPB65R095C7ATMA2MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3IPB65R045C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 46A D2PAKIPB65R050CFD7AATMA1AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3IPB65R095C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 24A D2PAKIPB65R099C6ATMA1MOSFET N-CH 650V 38A D2PAKIPB65R041CFD7ATMA1HIGH POWER_NEWIPB65R045C7ATMA2MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3IPB65R065C7ATMA1MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
IPB65R075CFD7AATMA1AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3IPB65R090CFD7ATMA1HIGH POWER_NEW