工場モデル : | IPB05CN10N G |
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RoHS ステータス : | |
メーカー/ブランド : | Infineon Technologies |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | IPB05CN10N G(1).pdfIPB05CN10N G(2).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | IPB05CN10N G |
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メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
説明 | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK |
フリーステータス/ RoHS状態 | |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | IPB05CN10N G(1).pdfIPB05CN10N G(2).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 |
シリーズ | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.1mOhm @ 100A, 10V |
電力消費(最大) | 300W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 12000 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 181 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Tc) |
基本製品番号 | IPB05C |