| 工場モデル : | IPB011N04NF2SATMA1 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Infineon Technologies |
| 在庫状況 : | 770 pcs Stock |
| 説明 : | TRENCH <= 40V |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | IPB011N04NF2SATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| 説明 | TRENCH <= 40V |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 770 pcs |
| 仕様書 | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.4V @ 249µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3 |
| シリーズ | StrongIRFET™2 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.15mOhm @ 100A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 375W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 15000 pF @ 20 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 315 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 43A (Ta), 201A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPB011 |
IPB009N03LGATMA1MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
IPB015N04LGATMA1MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKIPB011N04LGATMA1MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7IPB015N04NGATMA1MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKIPB011N04NGATMA1MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7IPB014N06NATMA1MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
IPB012N04NF2SATMA1TRENCH <= 40VIPB013N06NF2SATMA1TRENCH 40<-<100VIPB010N06NATMA1MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7IPB014N04NF2SATMA1TRENCH <= 40V