| 工場モデル : | IPA60R190E6XKSA1 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Infineon Technologies |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | IPA60R190E6XKSA1(1).pdfIPA60R190E6XKSA1(2).pdfIPA60R190E6XKSA1(3).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | IPA60R190E6XKSA1 |
|---|---|
| メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | IPA60R190E6XKSA1(1).pdfIPA60R190E6XKSA1(2).pdfIPA60R190E6XKSA1(3).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 630µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-FP |
| シリーズ | CoolMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 190mOhm @ 9.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 34W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400 pF @ 100 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20.2A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPA60R |
IPA60R190C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FPIPA60R190C6POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2IPA60R1K0CEXKSA1MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220IPA60R190P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FPIPA60R190E6600V 0.19OHM N-CHANNEL MOSFETIPA60R210CFD7XKSA1LOW POWER_NEWIPA60R180P7SXKSA1MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220IPA60R1K5CEXKSA1MOSFET N-CH 600V 5A TO220IPA60R180P7XKSA1MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
IPA60R199CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP