| 工場モデル : | BSZ088N03LSGATMA1 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Infineon Technologies |
| 在庫状況 : | 9250 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | BSZ088N03LSGATMA1(1).pdfBSZ088N03LSGATMA1(2).pdfBSZ088N03LSGATMA1(3).pdfBSZ088N03LSGATMA1(4).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | BSZ088N03LSGATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 9250 pcs |
| 仕様書 | BSZ088N03LSGATMA1(1).pdfBSZ088N03LSGATMA1(2).pdfBSZ088N03LSGATMA1(3).pdfBSZ088N03LSGATMA1(4).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.8mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.1W (Ta), 35W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1700 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Ta), 40A (Tc) |
| 基本製品番号 | BSZ088 |
BSZ0804LSATMA1MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON
BSZ0902NSATMA1MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSONBSZ088N03MSGBSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL PBSZ0901NSATMA1MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSONBSZ088N03MSGATMA1MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSONBSZ0901NSIATMA1MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSONBSZ086P03NS3GATMA1MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSONBSZ084N08NS5ATMA1MOSFET N-CH 80V 40A TSDSONBSZ088N03LSGBSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL PBSZ086P03NS3EGATMA1MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON