| 工場モデル : | BSC0911NDATMA1 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Infineon Technologies |
| 在庫状況 : | 5000 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | BSC0911NDATMA1(1).pdfBSC0911NDATMA1(2).pdfBSC0911NDATMA1(3).pdfBSC0911NDATMA1(4).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | BSC0911NDATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 5000 pcs |
| 仕様書 | BSC0911NDATMA1(1).pdfBSC0911NDATMA1(2).pdfBSC0911NDATMA1(3).pdfBSC0911NDATMA1(4).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TISON-8 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.2mOhm @ 20A, 10V |
| 電力 - 最大 | 1W |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1600pF @ 12V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A, 30A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| 基本製品番号 | BSC0911 |
BSC090N03LSGATMA1MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSONBSC090N03MSGXTN-CHANNEL POWER MOSFETBSC091N03MSCGN-CHANNEL POWER MOSFETBSC090N03MSGBSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL PBSC091N03MSCGATMA1POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1BSC090N03MSGATMA1MOSFET N-CH 30V 12A/48A 8TDSONBSC0923NDIATMA1MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8BSC0921NDIATMA1MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8BSC0910NDIATMA1MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8BSC0924NDIATMA1MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8