| 工場モデル : | BSC021N08NS5ATMA1 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Infineon Technologies |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | MOSFET TRENCH 80V TSON-8 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | BSC021N08NS5ATMA1(1).pdfBSC021N08NS5ATMA1(2).pdfBSC021N08NS5ATMA1(3).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | BSC021N08NS5ATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| 説明 | MOSFET TRENCH 80V TSON-8 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | BSC021N08NS5ATMA1(1).pdfBSC021N08NS5ATMA1(2).pdfBSC021N08NS5ATMA1(3).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.8V @ 146µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSON-8-3 |
| シリーズ | OptiMOS™, StrongIRFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.1mOhm @ 50A, 10V |
| 電力消費（最大） | 214W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8600 pF @ 40 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | Standard |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) |
| 基本製品番号 | BSC021 |
BSC019N08NS5ATMA1MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8BSC020N03LSGATMA2LV POWER MOSBSC020N03LSGATMA1MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSONBSC020N03MSGATMA1MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSONBSC022N04LS6ATMA1MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSONBSC020N025S GMOSFET N-CH 25V 30A/100A TDSONBSC022N03SGMOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSONBSC023N08NS5SCATMA1TRENCH 40<-<100VBSC022N03SMOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSONBSC022N04LSATMA1MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6