工場モデル : | CMSP2011A6-HF |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | Comchip Technology |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | MOSFET P-CH 20VDS 12VGS 11A DFNW |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | CMSP2011A6-HF(1).pdfCMSP2011A6-HF(2).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | CMSP2011A6-HF |
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メーカー | Comchip Technology |
説明 | MOSFET P-CH 20VDS 12VGS 11A DFNW |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | CMSP2011A6-HF(1).pdfCMSP2011A6-HF(2).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | DFNWB2x2-6L-J |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 24mOhm @ 7.2A, 4.5V |
電力消費(最大) | 750mW (Ta) |
パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1580 pF @ 6 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11A (Ta) |