工場モデル : | CSIC10-1200 |
---|---|
RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | Central Semiconductor Corp |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2 |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | CSIC10-1200(1).pdfCSIC10-1200(2).pdfCSIC10-1200(3).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | CSIC10-1200 |
---|---|
メーカー | Central Semiconductor |
説明 | DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2 |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | CSIC10-1200(1).pdfCSIC10-1200(2).pdfCSIC10-1200(3).pdf |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.7 V @ 10 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 1200 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-2 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
パッケージ/ケース | TO-220-2 |
パッケージ | Tube |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 250 µA @ 1200 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 10A |
Vrと、F @キャパシタンス | 500pF @ 1V, 1MHz |