工場モデル : | G4S12010PM |
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RoHS ステータス : | |
メーカー/ブランド : | Global Power Technology-GPT |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | DIODE SIC 1.2KV 33.2A TO247AC |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | G4S12010PM.pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | G4S12010PM |
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メーカー | SemiQ |
説明 | DIODE SIC 1.2KV 33.2A TO247AC |
フリーステータス/ RoHS状態 | |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | G4S12010PM.pdf |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 1200 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
パッケージ/ケース | TO-247-2 |
パッケージ | Cut Tape (CT) |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 30 µA @ 1700 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 33.2A |
Vrと、F @キャパシタンス | - |