| 工場モデル : | STB80NF03L-04-1 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | STMicroelectronics |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | STB80NF03L-04-1(1).pdfSTB80NF03L-04-1(2).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | STB80NF03L-04-1 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | STB80NF03L-04-1(1).pdfSTB80NF03L-04-1(2).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK |
| シリーズ | STripFET™ II |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4mOhm @ 40A, 10V |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -60°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5500 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
| 基本製品番号 | STB80N |
STB80NF10T4MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
STB7NK80Z-1MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAKSTB80NF55-06-1MOSFET N-CH 55V 80A I2PAKSTB80NE03L-06T4MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKSTB80N20M5MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
STB80N4F6AGMOSFET N-CH 40V 80A D2PAKSTB7NK80ZT4MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAKSTB80NF55-06T4MOSFET N-CH 55V 80A D2PAKSTB80NF03L-04T4MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKSTB80NF55-08-1MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK