| 工場モデル : | RJK6013DPE-WS#J3 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | |
| メーカー/ブランド : | Renesas Electronics America Inc |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | RJK6013DPE-WS#J3(1).pdfRJK6013DPE-WS#J3(2).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | RJK6013DPE-WS#J3 |
|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK |
| フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | RJK6013DPE-WS#J3(1).pdfRJK6013DPE-WS#J3(2).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | LDPAK |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 700mOhm @ 5.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 100W (Tc) |
| パッケージ/ケース | SC-83 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1450 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 37.5 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta) |
RJK6013DPP-E0#T2RJK6013DPP-E0#T2 - SILICON N CHA
RJK6014DPK-00#T0MOSFET N-CH 600V 16A TO3P
RJK6013DPE-00#J3MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAKRJK6012DPP-A0#T2MOSFET N-CH 600V 6A TO220FPRJK6012DPP-E0#T2RJK6012DPP - N CHANNEL MOSFETRJK6013DPP-00#T2N-CHANNEL POWER MOSFETRJK6012DPP-K0#T2N-CHANNEL POWER MOSFETRJK6014DPP-00#T2N-CHANNEL POWER MOSFETRJK6014DPP-E0#T2POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORRJK6012DPP-00#T2N-CHANNEL POWER MOSFET