工場モデル : | CSD25211W1015 |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | わからない |
在庫状況 : | 383 pcs Stock |
説明 : | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | CSD25211W1015(1).pdfCSD25211W1015(2).pdfCSD25211W1015(3).pdfCSD25211W1015(4).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | CSD25211W1015 |
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メーカー | |
説明 | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 383 pcs |
仕様書 | CSD25211W1015(1).pdfCSD25211W1015(2).pdfCSD25211W1015(3).pdfCSD25211W1015(4).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.1V @ 250µA |
Vgs(最大) | -6V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-DSBGA (1x1.5) |
シリーズ | NexFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 33mOhm @ 1.5A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1W (Ta) |
パッケージ/ケース | 6-UFBGA, DSBGA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 570 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4.1 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.2A (Ta) |
基本製品番号 | CSD25211 |