工場モデル : | RX3G18BBGC16 |
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RoHS ステータス : | |
メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | NCH 40V 270A, TO-220AB, POWER MO |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | RX3G18BBGC16 |
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メーカー | LAPIS Technology |
説明 | NCH 40V 270A, TO-220AB, POWER MO |
フリーステータス/ RoHS状態 | |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.47mOhm @ 90A, 10V |
電力消費(最大) | 192W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 13200 pF @ 20 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 210 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 270A (Ta), 180A (Tc) |
基本製品番号 | RX3G18 |