| 工場モデル : | EM6M1T2R |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
| 在庫状況 : | 8000 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | EM6M1T2R.pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | EM6M1T2R |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology |
| 説明 | MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 8000 pcs |
| 仕様書 | EM6M1T2R.pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | EMT6 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8Ohm @ 10mA, 4V |
| 電力 - 最大 | 150mW |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 13pF @ 5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V, 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100mA, 200mA |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel |
| 基本製品番号 | EM6M1 |
EM6K7T2RMOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6EM6K6T2RMOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6EM6K7T2CR1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPLEM6M2T2RMOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
EM6OE08NW9A-07HIC DRAM 4GBIT POD 78FBGAEM6K34T2CRMOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
EM6OE16NWAKA-07HIC DRAM 4GBIT POD 96FBGA
EM6M2T2CRMOSFET N/P-CH 20V EMT6EM6K33T2RMOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6EM6OE08NW9A-07IHIC DRAM 4GBIT POD 78FBGA