| 工場モデル : | BSM300C12P3E201 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
| 在庫状況 : | 4 pcs Stock |
| 説明 : | SICFET N-CH 1200V 300A MODULE |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | BSM300C12P3E201 |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology |
| 説明 | SICFET N-CH 1200V 300A MODULE |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 4 pcs |
| 仕様書 | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.6V @ 80mA |
| Vgs（最大） | +22V, -4V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - |
| 電力消費（最大） | 1360W (Tc) |
| パッケージ/ケース | Module |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 15000 pF @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 300A (Tc) |
| 基本製品番号 | BSM300 |
BSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300ABSM300D12P3E005SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
BSM25GP120BPSA1LOW POWER ECONO AG-ECONO2C-211BSM25GP120B2BPSA1IGBT LP ECONO AG-ECONO2A-211BSM300D12P4G1011200V, 291A, HALF BRIDGE, FULL SBSM25GP120BOSA1LOW POWER ECONOBSM25GP120B2BOSA1IGBT MODULE 1200VBSM300C12P3E301SICFET N-CH 1200V 300A MODULEBSM300GA120DLCHOSA1IGBT MOD 1200V 570A 2250WBSM25GD120DN2E3224BPSA1LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211