| 工場モデル : | MAX8552ETB+T |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | MAX8552ETB+T(1).pdfMAX8552ETB+T(2).pdfMAX8552ETB+T(3).pdfMAX8552ETB+T(4).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | MAX8552ETB+T |
|---|---|
| メーカー | Analog Devices / Maxim Integrated |
| 説明 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | MAX8552ETB+T(1).pdfMAX8552ETB+T(2).pdfMAX8552ETB+T(3).pdfMAX8552ETB+T(4).pdf |
| 電源電圧 - | 4.5V ~ 6.5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 10-TDFN (3x3) |
| シリーズ | - |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 14ns, 9ns |
| パッケージ/ケース | 10-WFDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力周波数 | 2 |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.5V |
| 入力タイプ | Non-Inverting |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET |
| 駆動構成 | Half-Bridge |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | - |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous |
| 基本製品番号 | MAX8552 |
MAX8552EUB+TIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10UMAX
MAX8552ETB+TG24IC GATE DRVRMAX8552EUB+IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10UMAX
MAX8552ETBMAX8552 HIGH-SPEED, WIDE-INPUT,
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