工場モデル : | ALD114935PAL |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | Advanced Linear Devices Inc. |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | ALD114935PAL.pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | ALD114935PAL |
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メーカー | Advanced Linear Devices, Inc. |
説明 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | ALD114935PAL.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.45V @ 1µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDIP |
シリーズ | EPAD® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 540Ohm @ 0V |
電力 - 最大 | 500mW |
パッケージ/ケース | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
パッケージ | Tube |
運転温度 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2.5pF @ 5V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | - |
FET特長 | Depletion Mode |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 10.6V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12mA, 3mA |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
基本製品番号 | ALD114935 |